doc. Ing. Jan Čechal, Ph.D.

E-mail:   cechal@fme.vutbr.cz 
Pracoviště:   Ústav fyzikálního inženýrství
Odbor fyziky pevných látek a povrchů
Zařazení:   Odborný asistent
Místnost:   A5/209
Telefon:   +420 54114 2810

10619

Vzdělání a akademická kvalifikace

  • 2014, doc.: Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Aplikovaná fyzika
  • 2006, Ph.D.: Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Fyzikální a materiálové inženýrství
  • 2001, Ing.: Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, obor Fyzikální inženýrství

Přehled zaměstnání

  • 2014 - dosud: docent, Ústav fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně
  • 2012 - dosud: Vědecký pracovník, CEITEC, VUT v Brně.
  • 2008 - 2014: odborný asistent, Ústav fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně
  • 2010-2012: vědecký pracovník, Max-Planck-Institute for Solid State Research, Stuttgart, Německo.
  • 2005-2007: technický pracovník, Ústav fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně

Pedagogická činnost

  • 2013-2014: Fyzikální proseminář (Teoretická mechnika a mechnika kontinua)
  • 2009: Kvantová a statistická fyzika (cvičení)
  • 2006-2009, 2012, 2014: Povrchy a tenké vrstvy (přednáška a cvičení)
  • 2005-2009, 2012-2013, Vybrané kapitoly z fyziky I a II
  • 2002-2005, 2007, 2013: Fyzika I a II (teoretické cvičení)

Vědeckovýzkumná činnost

  • Analýza povrchů a tenkých vrstev pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS).
  • Studium základních procesů při růstu povrchových nanostruktur, selektivní růst kovových materiálů na lokálně modifikovaných površích.
  • Molekulární samouspořádávání na površích.
  • Rastrovací tunelová mikroskopie

Akademické stáže v zahraničí

  • 2010 - 2012: Max-Planck-Institute for Solid State Research, Marie Curie Fellowship.
  • 2003, 2004: Material Science Beamline, Elettra Synchrotron Light Laboratory, Trieste.
  • 2003: pětitýdenní stáž na Material Science Beamline, Elettra Synchrotron Light Laboratory, Trieste.
  • 2000: čtyřměsíční stáž (projekt ERASMUS) na University of Salford (UK).

Projekty

  • Struktury pro nanofotoniku a nanoelektroniku (2006 - 2010)
  • Užití sondové mikroskopie v nanovědách (2004 - 2008)

Citace publikací podle ISI Web of Knowledge (bez autocitací)

89

Aktuálně garantované předměty:

Vybrané publikace:

  • PROCHÁZKA, P.; MAREČEK, D.; LIŠKOVÁ, Z.; ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T.:
    X-ray induced electrostatic graphene doping via defect charging in gate dielectric,
    Scientific Reports, Vol.7, (2017), No.1, pp.1-7, ISSN 2045-2322, NPG
    článek v časopise
  • ČECHAL, J.; KLEY, C.; PÉTUYA, R.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; ARNAU, A.; KERN, K.:
    CO2 Binding and Induced Structural Collapse of a Surface-Supported Metal-Organic Network,
    Journal of Physical Chemistry C (print), Vol.120, (2016), No.33, pp.18622-18630, ISSN 1932-7447
    článek v časopise
  • ČECHAL, J.; KLEY, C.; KUMAGAI, T.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
    Convergent and divergent two-dimensional coordination networks formed through substrate-activated or quenched alkynyl ligation,
    Chemical Communications, Vol.50, (2014), No.69, pp.9973-9976, ISSN 1359-7345
    článek v časopise
  • PROCHÁZKA, P.; MACH, J.; BISCHOFF, D.; LIŠKOVÁ, Z.; DVOŘÁK, P.; VAŇATKA, M.; SIMONET, P.; VARLET, A.; HEMZAL, D.; PETRENEC, M.; KALINA, L.; BARTOŠÍK, M.; ENSSLIN, K.; VARGA, P.; ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T.:
    Ultrasmooth metallic foils for growth of high quality graphene by chemical vapor deposition,
    NANOTECHNOLOGY, Vol.25, (2014), No.18, pp.185601-1-185601-8, ISSN 0957-4484
    článek v časopise
  • KLEY, C.; DETTE, C.; RINKE, G.; PATRICK, C.; ČECHAL, J.; JUNG, S.; BAUR, M.; DÜRR, M.; RAUSCHENBACH, S.; GIUSTINO, F.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
    Atomic-Scale Observation of Multiconformational Binding and Energy Level Alignment of Ruthenium-Based Photosensitizers on TiO2 Anatase,
    NANO LETTERS, Vol.14, (2014), No.2, pp.563-569, ISSN 1530-6984
    článek v časopise
  • KLEY, C.; ČECHAL, J.; KUMAGAI, T.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
    Highly Adaptable Two-Dimensional Metal-Organic Coordination Networks on Metal Surfaces,
    JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, Vol.134, (2012), No.14, pp.6072-6075, ISSN 0002-7863
    článek v časopise

Seznam publikací na portálu VUT

Anotace nejvýznamnějších prací:

  • ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; ŠIKOLA, T.:
    Detachment Limited Kinetics of Gold Diffusion through Ultrathin Oxide Layers,
    Journal of Physical Chemistry C (print), Vol.118, (2014), No.31, pp.17549-17555, ISSN 1932-7447
    článek v časopise

    Tato publikace se zabývá difúzí zlata přes tenké oxidové vrstvy (SiO2, Al2O3, HfO2) na Si subsrátu. Teplota při níž je difúze pozorována závisí na velikosti ostrůvků zlata na povrchu oxidu. Omezujícím krokem pro dífúzi je odpojení atomu zlata od ostrůvku.
  • ČECHAL, J.; KLEY, C.; KUMAGAI, T.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
    Convergent and divergent two-dimensional coordination networks formed through substrate-activated or quenched alkynyl ligation,
    Chemical Communications, Vol.50, (2014), No.69, pp.9973-9976, ISSN 1359-7345
    článek v časopise

    Článek popisuje ja lze pomocí volby substrátu selektivně aktivovat alkynylovo skupinu a její ochotu tvořit koordinační vazby s atomy niklu. Výsledkem jsou zcela rozdílné dvourozměrné koordinašní sítě vykazující buď vysokou míru uspořádanosti nebo naopak náhodnou strukturu.
  • ČECHAL, J.; KLEY, C.; KUMAGAI, T.; SCHRAMM, F.; RUBEN, M.; STEPANOW, S.; KERN, K.:
    Functionalization of Open Two-Dimensional Metal–Organic Templates through the Selective Incorporation of Metal Atoms,
    Journal of Physical Chemistry C (print), Vol.117, (2013), No.17, pp.8871-8877, ISSN 1932-7447
    článek v časopise

    V článku se zabýváme možnostvi vázání atomů niklu do dvojrozněrných metalo-organických sítí na površích Ag(100) a Au(111). V závislosti na použitém substrátu vznikají clustery niklu buď na povrchu (Au) nebo v první vrstvě sustrátu pod organickým ligandem (Ag).
  • ČECHAL, J.; TOMANEC, O.; ŠKODA, D.; KOŇÁKOVÁ, K.; HRNČÍŘ, T.; MACH, J.; KOLÍBAL, M.; ŠIKOLA, T.:
    Selective growth of Co islands on ion beam induced nucleation centers in a native SiO2 film,
    Journal of Aplied Physics, Vol.105, (2009), No.8, pp.084314-84319, ISSN 0021-8979
    článek v časopise

    Práce představuje přímočarou metodu tvorby uspořádaných souborů kovových nanostruktur. Vrstva nativního SiO2/ Si byla lokálně modifikována fokusovaným iontovým svazkem. Na těchto místech dochází přednostně k nukleaci kobaltových ostrůvků. Ostrůvky, které vznikají při depozici za teploty 400 - 430 C přerušené žíháním při 550 C, mají definovanou velikost, která je dána vzdáleností nukleačních center a množstvím deponovaného kobaltu. Tvorba uspořádaných souborů ostrůvků je způsobena nižší povrchovou difúzí atomů kobaltu na modifikovaných místech.
  • ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; KOSTELNÍK, P.; ŠIKOLA, T.:
    Gallium structure on the Si(111)-(7 x 7) surface: influence of Ga coverage and temperature,
    Journal of Physics: Condensed Matter, Vol.19, (2007), No.1, pp.016011-16025, ISSN 0953-8984
    článek v časopise

    Práce se zabývá vlivem teploty depozice a žíhání na strukturu gallia na povrchu Si(111)-(7 x 7) pomocí difrakce nízkoenergiových elektronů a fotoelektronové spektroskopie využívající synchrotronové záření. Při depozici za zvýšené teploty vznikají buď pouze základny ostrůvků (nad 490 C) nebo na těchto základnách dochází k růstu další vrstvy (300 C). Při teplotách do 20 C gallium interaguje velmi slabě s rekonstruovaným substrátem (7x7) a dochází k růstu neuspořádaných ostrůvků. Dále byla popsána nová rekonstrukce (3R3x3R3) R30 vznikající při žíhání vrstvy deponované za zvýšené teploty. Tato rekonstrukce je stabilní v úzkém rozsahu teplot a tvoří přechodnou strukturu mezi rekonstrukcí (R3 x R3) R30 a ostrůvky